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News - Central - News Center & News Guide !
Dual CoolTM Gehäuse von Fairchild Semiconductor ermöglichen höhere Leistungsdichte und Leistung bei DC-DC-Anwendungen
Geschrieben am Montag, dem 06. Juli 2015 von News-Central.de
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Freie-PM.de: Optimierte MV-MOSFETs bieten einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung
Fürstenfeldbruck - 7. Januar 2013 - Die Entwickler von DC-DC-Wandlern müssen die Leistungsdichte kontinuierlich verbessern und gleichzeitig die benötigte Leiterplattenfläche und den Wärmewiderstand reduzieren. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) hat genau für diese Design-Herausforderungen neue Mittelspannungs PowerTrench® MOSFETs mit Dual Cool? Gehäuse-Technologie entwickelt.
Fairchild hat sein Dual Cool Gehäuseportfolio, das sich durch ein Standard-Pinout und eine Wärmeabführung über die Gehäuseoberseite auszeichnet, um eine 40 bis 150 V Mittelspannungsserie erweitert. Fortschritte bei der Halbleitertechnologie ermöglichen in Verbindung mit der Dual Cool Technologie ein ausgezeichnetes Schaltverhalten sowie gegenüber der standardmäßigen 5 mm x 6 mm MLP-Bauform einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung.
Die Mittelspannungsserie umfasst die folgenden Bauteile: 40 V FDMS8320LDC, 60 V FDMS86500DC, 80 V FDMS86300DC und 100 V FDMS86101DC. Diese MOSFETs für Synchrongleichrichtung eignen sich für den Einsatz in DC-DC-Wandlern sowie als sekundärseitige Gleichrichter für Telekommunikations- und Highend-Server/Workstation-Anwendungen. Weitere Informationen zu Bauteilen im Dual Cool Gehäuse finden Sie unter: www.fairchildsemi.com/dualcool.
Eigenschaften und Vorteile:
FDMS8320LDC (40 V)
- Max. RDS(ON) = 1,1 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 44 A
- Max. RDS(ON) = 1,5 mOhm bei VGS = 4,5 V, ID = 37 A
FDMS86500DC (60 V)
- Max. RDS(ON) = 2,3 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 29 A
- Max. RDS(ON) = 3,3 mOhm bei VGS = 8 V, ID = 24 A
FDMS86300DC (80V)
- Max. RDS(ON) = 3,1 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 24 A
- Max. RDS(ON) = 4,0 mOhm bei VGS = 8 V, ID = 21 A
- Derzeit niedrigster RDS(ON), nur rund 35 % gegenüber anderen Lösungen mit gleicher Nennspannung
FDMS86101DC (100 V)
- Max. RDS(ON) = 7,5 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 14,5 A
- Max. RDS(ON) = 12 mOhm bei VGS = 6 V, ID = 11,5 A
Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)
Muster sind auf Anfrage verfügbar - Lieferzeit ca. 8-12 Wochen
Alle Bauteile dieser Produktfamilie sind in einem PQFN 5x6 8L Gehäuse zu folgenden Preisen erhältlich:
- FDMS8320LDC (40 V): $1,09
- FDMS86500DC (60 V): $1,16
- FDMS86300DC (80 V): $1,16
- FDMS86101DC (100 V): $1,09
Die MOSFETS im Dual Cool Gehäuse sind Teil des führenden MOSFET-Portfolios von Fairchild. Durch umfassendes Wissen und langjährige Erfahrungen im Bereich leistungsfähiger DC-DC-Stromversorgungen kann Fairchild durch eine Kombination von innovativen Funktionen, Prozessen und Gehäusetechnologien einzigartige Lösungen für Elektronik-Designs anbieten.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM
Anmerkungen für die Redaktion: Ein Datenblatt im PDF-Format finden Sie unter:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS8320LDC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86300DC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86300DC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86101DC.pdf
Über Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) - weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen.
Produkt- und Unternehmensvideos, Podcasts und unseren Blog finden Sie unter: http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections
Fairchild Semiconductor
Birgit Fuchs-Laine
Oskar-von-Miller-Str. 4e
82256 Fürstenfeldbruck
089-417761-13
http://www.fairchildsemi.com/
Pressekontakt:
Lucy Turpin Communications
Birgit Fuchs-Laine
Prinzregentenstr. 79
81675 München
fairchild.eu@lucyturpin.com
089-417761-13
http://www.lucyturpin.com
(Weitere interessante Podcast News, Infos & Tipps sind auch hier auf dieser Seite nachlesbar.)
Veröffentlicht von >> PR-Gateway << auf http://www.freie-pressemitteilungen.de/modules.php?name=PresseMitteilungen - dem freien Presseportal mit aktuellen News und Artikeln
Optimierte MV-MOSFETs bieten einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung
Fürstenfeldbruck - 7. Januar 2013 - Die Entwickler von DC-DC-Wandlern müssen die Leistungsdichte kontinuierlich verbessern und gleichzeitig die benötigte Leiterplattenfläche und den Wärmewiderstand reduzieren. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) hat genau für diese Design-Herausforderungen neue Mittelspannungs PowerTrench® MOSFETs mit Dual Cool? Gehäuse-Technologie entwickelt.
Fairchild hat sein Dual Cool Gehäuseportfolio, das sich durch ein Standard-Pinout und eine Wärmeabführung über die Gehäuseoberseite auszeichnet, um eine 40 bis 150 V Mittelspannungsserie erweitert. Fortschritte bei der Halbleitertechnologie ermöglichen in Verbindung mit der Dual Cool Technologie ein ausgezeichnetes Schaltverhalten sowie gegenüber der standardmäßigen 5 mm x 6 mm MLP-Bauform einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung.
Die Mittelspannungsserie umfasst die folgenden Bauteile: 40 V FDMS8320LDC, 60 V FDMS86500DC, 80 V FDMS86300DC und 100 V FDMS86101DC. Diese MOSFETs für Synchrongleichrichtung eignen sich für den Einsatz in DC-DC-Wandlern sowie als sekundärseitige Gleichrichter für Telekommunikations- und Highend-Server/Workstation-Anwendungen. Weitere Informationen zu Bauteilen im Dual Cool Gehäuse finden Sie unter: www.fairchildsemi.com/dualcool.
Eigenschaften und Vorteile:
FDMS8320LDC (40 V)
- Max. RDS(ON) = 1,1 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 44 A
- Max. RDS(ON) = 1,5 mOhm bei VGS = 4,5 V, ID = 37 A
FDMS86500DC (60 V)
- Max. RDS(ON) = 2,3 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 29 A
- Max. RDS(ON) = 3,3 mOhm bei VGS = 8 V, ID = 24 A
FDMS86300DC (80V)
- Max. RDS(ON) = 3,1 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 24 A
- Max. RDS(ON) = 4,0 mOhm bei VGS = 8 V, ID = 21 A
- Derzeit niedrigster RDS(ON), nur rund 35 % gegenüber anderen Lösungen mit gleicher Nennspannung
FDMS86101DC (100 V)
- Max. RDS(ON) = 7,5 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 14,5 A
- Max. RDS(ON) = 12 mOhm bei VGS = 6 V, ID = 11,5 A
Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)
Muster sind auf Anfrage verfügbar - Lieferzeit ca. 8-12 Wochen
Alle Bauteile dieser Produktfamilie sind in einem PQFN 5x6 8L Gehäuse zu folgenden Preisen erhältlich:
- FDMS8320LDC (40 V): $1,09
- FDMS86500DC (60 V): $1,16
- FDMS86300DC (80 V): $1,16
- FDMS86101DC (100 V): $1,09
Die MOSFETS im Dual Cool Gehäuse sind Teil des führenden MOSFET-Portfolios von Fairchild. Durch umfassendes Wissen und langjährige Erfahrungen im Bereich leistungsfähiger DC-DC-Stromversorgungen kann Fairchild durch eine Kombination von innovativen Funktionen, Prozessen und Gehäusetechnologien einzigartige Lösungen für Elektronik-Designs anbieten.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM
Anmerkungen für die Redaktion: Ein Datenblatt im PDF-Format finden Sie unter:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS8320LDC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86300DC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86300DC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86101DC.pdf
Über Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) - weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen.
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Fairchild Semiconductor
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http://www.fairchildsemi.com/
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